JFET dan MOSFET
Transistor Bipolar dinamakan demikian karena bekerja dengan 2 (bi)
muatan yang berbeda yaitu elektron sebagai pembawa muatan negatif dan hole
sebagai pembawa muatan positif. Ada
satu jenis transistor lain yang dinamakan FET (Field Efect Transistor).
Berbeda dengan prinsip kerja transistor bipolar, transistor FET bekerja
bergantung dari satu pembawa muatan, apakah itu elektron atau hole. Karena hanya bergantung pada satu pembawa
muatan saja, transistor ini disebut komponen unipolar.
Umumnya untuk aplikasi linear, transistor
bipolar lebih disukai, namun transistor FET sering digunakan juga karena
memiliki impedansi input (input impedance) yang sangat besar. Terutama jika
digunakan sebagai switch, FET lebih baik karena resistansi dan disipasi
dayanya yang kecil.
Ada dua jenis transistor FET yaitu JFET (junction FET)
dan MOSFET (metal-oxide semiconductor FET). Pada dasarnya kedua jenis transistor memiliki
prinsip kerja yang sama, namun tetap ada perbedaan yang mendasar pada struktur
dan karakteristiknya.
TRANSISTOR
JFET
Gambar
dibawah menunjukkan struktur transistor JFET kanal n dan kanal p. Kanal n
dibuat dari bahan semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari semikonduktor
tipe p. Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah dinamakan Source.
Pada
kedua sisi kiri dan kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal kedua sisi implant ini terhubung satu dengan
lainnya secara internal dan dinamakan Gate.
Struktur JFET (a) kanal-n (b) kanal-p
Istilah
field efect (efek medan
listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor ini yang berkenaan
dengan lapisan deplesi (depletion layer). Lapisan ini terbentuk
antara semikonduktor tipe n dan tipe p, karena bergabungnya elektron dan hole
di sekitar daerah perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa
membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara gate dengan source. Pada
gambar di atas, lapisan deplesi ditunjukkan dengan warna kuning di sisi kiri
dan kanan.
JFET
kanal-n
Untuk menjelaskan prinsip kerja transistor JFET lebih
jauh akan ditinjau transistor JFET
kanal-n. Drain dan Source transistor ini dibuat dengan semikonduktor tipe n
dan Gate dengan tipe p. Gambar berikut menunjukkan bagaimana transistor
ini di beri tegangan bias. Tegangan bias antara gate dan source adalah tegangan
reverse bias atau disebut bias negatif. Tegangan bias negatif
berarti tegangan gate lebih negatif terhadap source. Perlu catatan, Kedua gate
terhubung satu dengan lainnya (tidak tampak dalam gambar).
Lapisan deplesi jika gate-source biberi bias negatif
Dari
gambar di atas, elektron yang mengalir dari source menuju drain harus melewati
lapisan deplesi. Di sini lapisan deplesi berfungsi semacan keran air. Banyaknya
elektron yang mengalir dari source menuju drain tergantung dari ketebalan
lapisan deplesi. Lapisan deplesi bisa menyempit, melebar atau membuka tergantung dari tegangan
gate terhadap source.
Jika
gate semakin negatif terhadap source, maka lapisan deplesi akan semakin
menebal. Lapisan deplesi bisa saja menutup seluruh kanal transistor bahkan
dapat menyentuh drain dan source. Ketika keadaan ini terjadi, tidak ada
arus yang dapat mengalir atau sangat kecil sekali. Jadi jika tegangan gate
semakin negatif terhadap source maka semakin kecil arus yang bisa melewati
kanal drain dan source.
Lapisan deplesi pada saat tegangan gate-source = 0 volt
Jika misalnya tegangan gate dari nilai negatif
perlahan-lahan dinaikkan sampai sama dengan tegangan Source. Ternyata lapisan
deplesi mengecil hingga sampai suatu saat terdapat celah sempit. Arus elektron mulai mengalir melalui celah
sempit ini dan terjadilah konduksi Drain dan Source. Arus yang terjadi pada
keadaan ini adalah arus maksimum yang dapat mengalir berapapun tegangan drain
terhadap source. Hal ini karena celah lapisan deplesi sudah maksimum tidak bisa
lebih lebar lagi. Tegangan gate tidak bisa dinaikkan menjadi positif, karena
kalau nilainya positif maka gate-source tidak lain hanya sebagai
dioda.
Karena tegangan bias yang negatif, maka arus gate
yang disebut IG akan sangat kecil sekali. Dapat dimengerti resistansi
input (input impedance) gate akan sangat besar. Impedansi input
transistor FET umumnya bisa mencapai satuan MOhm. Sebuah transistor JFET
diketahui arus gate 2 nA pada saat tegangan reverse gate 4 V, maka dari
hukum Ohm dapat dihitung resistansi input transistor ini adalah :
Rin = 4V/2nA = 2000 Mohm
Simbol JFET
Untuk
mengambarkan JFET pada skema rangkaian elektronika, bisa dipakai simbol
seperti pada gambar di bawah berikut.
Simbol komponen (a)JFET-n (b)JFET-p
Karena struktur yang sama, terminal drain dan source
untuk aplikasi frekuensi rendah dapat dibolak balik. Namun biasanya tidak
demikian untuk aplikasi frekuensi tinggi. Umumnya JFET untuk aplikasi frekuensi
tinggi memperhitungkan kapasitansi bahan antara gate dengan drain dan juga
antara gate dengan source. Dalam pembuatan JFET, umumnya ada perbedaan
kapasitansi gate terhadap drain dan antara gate dengan source.
JFET
kanal-p
Transistor
JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n, hanya saja kanal
yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas tegangan
dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n.
Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang
berbeda.
Kurva Drain
Gambar
berikut adalah bagaimana transitor JFET diberi bias. Kali ini digambar dengan menggunakan
simbol JFET. Gambar (a) adalah jika diberi bias negatif dan gambar (b) jika
gate dan source dihubung singkat.
Tegangan bias transistor JFET-n
Jika
gate dan source dihubung singkat, maka akan diperoleh arus drain maksimum.
Ingat jika VGS=0 lapisan deplesi kiri dan kanan pada posisi
yang hampir membuka. Perhatikan contoh kurva drain pada gambar berikut, yang
menunjukkan karakteristik arus drain ID dan tegangan
drain-source VDS. Terlihat arus drain ID tetap (konstan) setelah
VDS melewati suatu besar tegangan tertentu yang disebut Vp.
Pada
keadaan ini (VGS=0) celah lapisan deplesi hampir bersingungan
dan sedikit membuka. Arus ID bisa konstan karena celah deplesi yang
sempit itu mencegah aliran arus ID yang lebih besar. Perumpamaannya
sama seperti selang air plastik yang ditekan dengan jari, air yang mengalir
juga tidak bisa lebih banyak lagi. Dari sinilah dibuat istilah pinchoff
voltage (tegangan jepit) dengan simbol Vp. Arus ID
maksimum ini di sebut IDSS yang berarti arus drain-source
jika gate dihubung singkat (shorted gate). Ini adalah arus maksimum yang
bisa dihasilkan oleh suatu transistor JFET dan karakteristik IDSS
ini tercantum di datasheet.
kurva drain IDS terhadap VDS
JFET berlaku sebagai sumber arus konstan sampai
pada tengangan tertentu yang disebut VDS(max). Tegangan maksimum ini disebut breakdown voltage dimana
arus tiba-tiba menjadi tidak terhingga. Tentu transistor tidaklah
dimaksudkan untuk bekerja sampai daerah breakdown. Daerah antara VP
dan VDS(max) disebut daerah active (active region). Sedangkan
0 volt sampai tegangan Vp disebut daerah Ohmic (Ohmic region).
Daerah Ohmic
Pada
tegangan VDS antara 0 volt sampai tegangan pinchoff VP=4
volt, arus ID menaik dengan kemiringan yang tetap. Daerah ini
disebut daerah Ohmic. Tentu sudah maklum bahwa daerah Ohmic ini tidak lain
adalah resistansi drain-source dan termasuk celah kanal diantara lapisan
deplesi. Ketika bekerja pada daerah ohmic, JFET berlaku seperti resistor dan
dapat diketahui besar resistansinya adalah :
RDS = Vp/IDSS
RDS
disebut ohmic resistance, sebagai contoh di dataseet diketahui VP
= 4V dan IDSS = 10 mA, maka dapat diketahui :
RDS = 4V/10mA = 400 Ohm
Tegangan
cutoff gate
Dari
contoh kurva drain di atas terlihat beberapa garis-garis kurva untuk
beberapa tegangan VGS yang berbeda. Pertama adalah kurva
paling atas dimana IDSS=10 mA dan kondisi ini tercapai jika VGS=0
dan perhatikan juga tegangan pinchoff VP=4V. Kemudian kurva berikutnya adalah VGS
= -1V lalu VGS=-2V dan seterusnya. Jika VGS semakin kecil terlihat arus ID juga
semakin kecil.
Perhatikan kurva yang paling bawah dimana VGS=-4V.
Pada kurva ternyata arus ID sangat kecil sekali dan hampir nol. Tegangan ini dinamakan tegangan cutoff gate-source (gate
source cutoff voltage) yang ditulis sebagai VGS(off).
Pada saat ini lapisan deplesi sudah bersingungan satu sama lain, sehingga arus
yang bisa melewati kecil sekali atau hampir nol.
Bukan
suatu kebetulan bahwa kenyataannya bahwa VGS(off)=-4V dan VP=4V.
Ternyata
memang pada saat demikian lapisan deplesi bersentuhan atau hampir
bersentuhan.
Maka di datasheet biasanya hanya ada satu besaran
yang tertera VGS(off) atau VP. Oleh karena sudah
diketahui hubungan persamaan :
VGS(off) = -VP
Pabrikasi JFET
Kalau
sebelumnya sudah dijelaskan bagaimana struktur JFET secara teoritis, maka
gambar berikut adalah bagaimana sebenarnya transistor JFET-n
dibuat.
Struktur penampang JFET-n
Transistor
JFET-n dibuat di atas satu lempengan semikonduktor tipe-p sebagai subtrat (subtrate)
atau dasar (base). Untuk membuat kanal n, di atas subtrat di-implant
semikonduktor tipe n yaitu dengan memberikan doping elektron. Kanal-n ini akan
menjadi drain dan source. Kemudian di atas kanal-n dibuat implant tipe-p,
caranya adalah dengan memberi doping p (hole). Implant tipe p ini yang
menjadi gate. Gate dan subtrat disambungkan secara internal.
TRANSISTOR
MOSFET
Mirip
seperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain,
source dan gate. Namun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida.
Gate
sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah
transistor ini dinamakan metal-oxide. Karena gate yang terisolasi,
sering jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu insulated-gate
FET.
Ada dua jenis MOSFET, yang pertama jenis depletion-mode
dan yang kedua jenis enhancement-mode. Jenis MOSFET yang
kedua adalah komponen utama dari gerbang logika dalam bentuk IC (integrated
circuit), uC (micro controller) dan uP (micro processor) yang
tidak lain adalah komponen utama dari komputer modern saat ini.
MOSFET
Depletion-mode
Gambar berikut menunjukkan struktur dari transistor
jenis ini. Pada sebuah kanal semikonduktor tipe n terdapat semikonduktor tipe p
dengan menyisakan sedikit celah. Dengan demikian diharapkan elektron akan
mengalir dari source menuju drain melalui celah sempit ini. Gate terbuat dari
metal (seperti aluminium) dan terisolasi oleh bahan oksida tipis SiO2
yang tidak lain adalah kaca.
struktur MOSFET depletion-mode
Semikonduktor
tipe p di sini disebut subtrat p dan biasanya dihubung singkat dengan source.
Ingat seperti pada transistor JFET lapisan deplesi mulai membuka jika VGS
= 0.
Dengan
menghubung singkat subtrat p dengan source diharapkan ketebalan
lapisan deplesi yang terbentuk antara subtrat dengan kanal adalah maksimum.
Sehingga ketebalan lapisan deplesi selanjutnya hanya akan ditentukan oleh
tegangan gate terhadap source. Pada gambar, lapisan deplesi yang dimaksud
ditunjukkan pada daerah yang berwarna kuning.
Semakin
negatif tegangan gate terhadap source, akan semakin kecil arus drain yang
bisa lewat atau bahkan menjadi 0 pada tegangan negatif tertentu. Karena lapisan
deplesi telah menutup kanal. Selanjutnya jika tegangan gate dinaikkan sama
dengan tegangan source, arus akan mengalir. Karena lapisan deplesi muali membuka.
Sampai di sini prinsip kerja transistor MOSFET depletion-mode tidak
berbeda dengan transistor JFET.
Karena gate yang terisolasi, tegangan kerja VGS
boleh positif. Jika VGS semakin positif, arus elektron yang
mengalir dapat semakin besar. Di sini letak perbedaannya dengan JFET,
transistor MOSFET depletion-mode bisa bekerja sampai tegangan gate
positif.
Pabrikasi
MOSFET depletion-mode
Penampang D-MOSFET (depletion-mode)
Struktur
ini adalah penampang MOSFET depletion-mode yang dibuat di atas sebuah
lempengan semikonduktor tipe p. Implant semikonduktor tipe n dibuat sedemikian
rupa sehingga terdapat celah kanal tipe n. Kanal ini menghubungkan drain dengan
source dan tepat berada di bawah gate. Gate terbuat dari metal aluminium yang
diisolasi dengan lapisan SiO2 (kaca). Dalam beberapa buku,
transistor MOSFET depletion-mode disebut juga dengan nama D-MOSFET.
Kurva drain MOSFET depeletion mode
Analisa kurva drain dilakukan dengan mencoba beberapa
tegangan gate VGS konstan, lalu dibuat grafik hubungan antara arus
drain ID terhadap tegangan VDS.
Kurva drain transistor MOSFET depletion-mode
Dari
kurva ini terlihat jelas bahwa transistor MOSFET depletion-mode dapat
bekerja (ON) mulai dari tegangan VGS negatif sampai positif.
Terdapat dua daerah kerja, yang pertama adalah daerah ohmic dimana
resistansi drain-source adalah fungsi dari :
RDS(on)
= VDS/IDS
Jika
tegangan VGS tetap dan VDS terus dinaikkan, transistor
selanjutnya akan berada pada daerah saturasi. Jika keadaan ini tercapai,
arus IDS adalah konstan. Tentu saja ada tegangan VGS(max),
yang diperbolehkan. Karena jika lebih dari tegangan ini akan dapat merusak
isolasi gate yang tipis alias merusak transistor itu sendiri.
MOSFET
Enhancement-mode
Jenis transistor MOSFET yang kedua adalah MOSFET enhancement-mode.
Transistor ini adalah evolusi jenius berikutnya setelah penemuan MOSFET depletion-mode.
Gate
terbuat dari metal aluminium dan terisolasi oleh lapisan SiO2 sama
seperti transistor MOSFET depletion-mode. Perbedaan struktur yang
mendasar adalah, subtrat pada transistor MOSFET enhancement-mode
sekarang dibuat sampai menyentuh gate, seperti terlihat pada gambar
beritu ini. Lalu bagaimana elektron dapat mengalir ?. Silahkan terus menyimak
tulisan berikut ini.
Struktur MOSFET enhancement-mode
Gambar
atas ini adalah transistor MOSFET enhancement mode kanal n. Jika
tegangan gate VGS dibuat negatif, tentu saja arus elektron tidak
dapat mengalir. Juga ketika VGS=0 ternyata arus belum juga bisa
mengalir, karena tidak ada lapisan deplesi maupun celah yang bisa
dialiri elektron. Satu-satunya jalan adalah dengan memberi tegangan VGS
positif. Karena subtrat terhubung dengan source, maka jika tegangan gate
positif berarti tegangan gate terhadap subtrat juga positif.
Tegangan
positif ini akan menyebabkan elektron tertarik ke arah subtrat p.
Elektron-elektron akan bergabung dengan hole yang ada pada subtrat p. Karena
potensial gate lebih positif, maka elektron terlebih dahulu tertarik dan
menumpuk di sisi subtrat yang berbatasan dengan gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak
dapat mengalir menuju gate karena terisolasi oleh bahan insulator SiO2
(kaca).
Jika tegangan gate cukup positif, maka tumpukan
elektron akan menyebabkan terbentuknya semacam lapisan n yang negatif
dan seketika itulah arus drain dan source dapat mengalir. Lapisan yang
terbentuk ini disebut dengan istilah inversion layer. Kira-kira
terjemahannya adalah lapisan dengan tipe yang berbalikan. Di sini karena
subtratnya tipe p, maka lapisan inversion yang terbentuk adalah
bermuatan negatif atau tipe n.
Tentu ada tegangan minimum dimana lapisan inversion
n mulai terbentuk. Tegangan minimun ini disebut tegangan threshold
VGS(th). Tegangan VGS(th) oleh pabrik pembuat tertera
di dalam datasheet.
Di sini letak perbedaan utama prinsip kerja transitor
MOSFET enhancement-mode dibandingkan dengan JFET. Jika pada tegangan VGS
= 0 , transistor JFET sudah bekerja atau ON, maka transistor MOSFET
enhancement-mode masih OFF. Dikatakan
bahwa JFET adalah komponen normally ON dan MOSFET adalah komponen normally
OFF.
Pabrikasi MOSFET enhancement-mode
Transistor
MOSFET enhacement mode dalam beberapa literatur disebut juga dengan nama
E-MOSFET.
Penampang E-MOSFET (enhancement-mode)
Gambar
diatas adalah bagaimana transistor MOSFET enhancement-mode dibuat. Sama
seperti MOSFET depletion-mode, tetapi perbedaannya disini tidak ada
kanal yang menghubungkan drain dengan source. Kanal n akan terbentuk (enhanced)
dengan memberi tegangan VGS diatas tegangan threshold
tertentu. Inilah struktur transistor yang paling banyak di terapkan dalam IC
digital.
Kurva Drain
MOSFET enhacement-mode
Mirip
seperti kurva D-MOSFET, kurva drain transistor E-MOSFET adalah seperti yang
ditunjukkan pada gambar berikut. Namun di sini VGS semua bernilai
positif. Garis kurva paling bawah adalah garis kurva dimana transistor mulai
ON. Tegangan VGS pada garis kurva ini disebut tegangan threshold VGS(th).
Kurva drain E-MOSFET
Karena
transistor MOSFET umumnya digunakan sebagai saklar (switch),
parameter yang penting pada transistor E-MOSFET adalah resistansi drain-source.
Biasanya yang tercantum pada datasheet adalah resistansi pada saat transistor
ON. Resistansi ini dinamakan RDS(on). Besar resistansi bervariasi
mulai dari 0.3 Ohm sampai puluhan Ohm. Untuk aplikasi power switching,
semakin kecil resistansi RDS(on) maka semakin baik transistor
tersebut. Karena akan memperkecil rugi-rugi disipasi daya dalam bentuk panas.
Juga penting diketahui parameter arus drain maksimum ID(max) dan
disipasi daya maksimum PD(max).
Simbol
transistor MOSFET
Garis
putus-putus pada simbol transistor MOSFET menunjukkan struktur transistor yang
terdiri drain, source dan subtrat serta gate yang terisolasi. Arah panah pada
subtrat menunjukkan type lapisan yang terbentuk pada subtrat ketika transistor
ON sekaligus menunjukkan type kanal transistor tersebut.
Simbol MOSFET, (a) kanal-n (b) kanal-p
Kedua
simbol di atas dapat digunakan untuk mengambarkan D-MOSFET maupun E-MOSFET.
NMOS dan
PMOS
Transistor MOSFET dalam berbagai referensi disingkat
dengan nama transistor MOS. Dua jenis tipe n atau p dibedakan dengan
nama NMOS dan PMOS. Simbol untuk menggambarkan MOS tipe
depletion-mode dibedakan dengan tipe enhancement-mode. Pembedaan ini perlu
untuk rangkaian-rangkaian rumit yang terdiri dari kedua jenis transistor
tersebut.
Simbol transistor (a)NMOS (b)PMOS tipe depletion mode
Simbol transistor (a)NMOS (b)PMOS tipe enhancement mode
Transistor
MOS adalah tipe transistor yang paling banyak dipakai untuk membuat rangkaian
gerbang logika. Ratusan bahkan ribuan gerbang logika dirangkai di
dalam sebuah IC (integrated circuit) menjadi komponen yang canggih seperti
mikrokontroler dan mikroposesor. Contoh gerbang logika yang paling dasar adalah
sebuah inverter.
Gerbang NOT Inverter MOS
Gerbang
inverter MOS di atas terdiri dari 2 buah transistor Q1 dan Q2. Transistor Q1
adalah transistor NMOS depletion-mode yang pada rangkaian ini berlaku
sebagai beban RL untuk transistor Q2. Seperti yang sudah dimaklumi,
beban RL ini tidak lain adalah resistansi RDS(on) dari transistor
Q1. Transistor Q2 adalah transistor NMOS enhancement-mode. Di
sini transistor Q2 berfungsi sebagai saklar (switch) yang bisa membuka
atau menutup (ON/OFF). Transistor
ON atau OFF tergantung dari
tegangan input.
Jika
tegangan input A = 0 volt (logik 0), maka saklar Q2 membuka dan tegangan output
Y = VDD (logik 1). Dan sebaliknya jika input A = VDD
(logik 1) maka saklar menutup dan tegangan output Y = 0 volt (logik 0).
Inverter ini tidak lain adalah gerbang NOT, dimana keadaan output adalah
kebalikan dari input.
Gerbang
dasar lainnya dalah seperti gerbang NAND dan NOR. Contoh diagram
berikut adalah gerbang NAND dan NOR yang memiliki dua input A dan B.
Gerbang NAND transistor MOS
Gerbang NOR transistor MOS
Bagaimana
caranya membuat gerbang AND dan OR. Tentu saja bisa dengan menambahkan sebuah inverter di
depan gerbang NAND dan NOR.
Transistor
CMOS
CMOS adalah evolusi dari komponen digital
yang paling banyak digunakan karena memiliki karakteristik konsumsi daya
yang sangat kecil. CMOS adalah singkatan dari Complementary MOS,
yang strukturnya terdiri dari dua jenis transistor PMOS dan NMOS. Keduanya
adalah transistor MOS tipe enhacement-mode.
Inverter gerbang NOT dengan struktur CMOS adalah
seperti gambar yang berikut ini. Beban RL yang sebelumnya
menggunakan transistor NMOS tipe depletion-mode, digantikan oleh transistor
PMOS enhancement-mode.
Gerbang NOT inverter CMOS
Namun
disini Q1 bukan sebagai beban, tetapi kedua transistor berfungsi sebagai complementrary
switch yang bekerja bergantian. Jika input 0 (low) maka
transistor Q1 menutup dan sebaliknya Q2 membuka, sehingga keluaran tersambung
ke VDD (high). Sebaliknya jika input 1 (high) maka transistor Q1
akan membuka dan Q2 menutup, sehingga keluaran terhubung dengan ground 0 volt (low).
Penutup
Transistor
FET termasuk perangkat yang disebut voltage-controlled device yang mana
tegangan masukan (input) mengatur arus keluaran (output). Pada transistor FET, besar tegangan gate-source (VGS)
menentukan jumlah arus yang dapat mengalir antara drain dan source.
Transistor MOSFET yang dikenal dengan sebutan
transistor MOS umumnya gampang rusak. Ada kalanya karena tegangan gate
yang melebihi tegangan VGS(max). Karena lapisan oksida yang amat
tipis, transistor MOS rentan terhadap tegangan statik (static voltage)
yang bisa mencapai ribuan volt. Untuk itulah biasanya MOS dalam bentuk
transistor maupun IC selalu dikemas menggunakan anti static.Terminal
atau kaki-kakinya di hubung singkat untuk menghindari tegangan statik ini.
Transistor MOS yang mahal karena RDS(on) yang kecil, biasanya
dilengkapi dengan zener didalamnya. Zener diantara gate dan source ini
berfungsi sebagai proteksi tegangan yang berlebih. Walapun zener ini sebenarnya
akan menurunkan impedansi input gate, namun cukup seimbang antara performance
dan harganya itu.